En stock
Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 100V 15A YJD15N10A
Référence produit : YJD15N10A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.52 € | — |
| 30 – 99 | 0.24 € | -54% |
| 100 – 199 | 0.22 € | -58% |
| 200 – 499 | 0.19 € | -63% |
| 500 – 999 | 0.18 € | -65% |
| 1000 – 2499 | 0.18 € | -65% |
| 2500+Meilleur prix | 0.18 € | -65% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 100V |
| Courant de drain | 15A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.1 Ohm (max) |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 2V - 4V |
| Charge de grille (Qg) | 15 nC (typ) |
Description technique du produit (YJD15N10A):
Transistor MOSFET Canal N 100V 15A YJD15N10A. Le YJD15N10A est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant idéal pour les convertisseurs DC-DC, les contrôleurs de moteur et les alimentations à découpage.