En stock
Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 100V 12A YJS12N10A
Référence produit : YJS12N10A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 0.97 € | — |
| 10 – 29 | 0.67 € | -31% |
| 30 – 49 | 0.60 € | -38% |
| 50 – 199 | 0.54 € | -44% |
| 200 – 499 | 0.49 € | -49% |
| 500 – 3999 | 0.48 € | -51% |
| 4000+Meilleur prix | 0.48 € | -51% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 100V |
| Courant de drain | 12A |
| Résistance à l'état passant | 150mΩ |
| Tension de seuil | 3V |
| Charge de grille | 15nC |
Description technique du produit (YJS12N10A):
Transistor MOSFET Canal N 100V 12A YJS12N10A. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une bonne capacité en courant.