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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 100V 120A IRFB4110PBF
Référence produit : IRFB4110PBF
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.77 € | — |
| 5 – 9 | 2.34 € | -16% |
| 10 – 19 | 2.15 € | -22% |
| 20 – 49 | 1.97 € | -29% |
| 50 – 99 | 1.84 € | -34% |
| 100+Meilleur prix | 1.79 € | -35% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 100 V |
| Courant de drain continu | 120 A |
| Résistance à l'état passant | 3.7 mΩ |
| Tension de seuil de grille | 2.0 V à 4.0 V |
| Charge de grille totale | 150 nC |
Description technique du produit (IRFB4110PBF):
Transistor MOSFET Canal N 100V 120A IRFB4110PBF. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée.