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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 100V 10A YJM04N10A
Référence produit : YJM04N10A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.50 € | — |
| 30 – 99 | 0.23 € | -54% |
| 100 – 199 | 0.20 € | -60% |
| 200 – 499 | 0.18 € | -64% |
| 500 – 999 | 0.17 € | -66% |
| 1000 – 2499 | 0.17 € | -66% |
| 2500+Meilleur prix | 0.17 € | -66% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 100V |
| Courant de drain continu | 10A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 100mΩ (max) |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 2V à 4V |
| Charge de grille (Qg) | 10nC (typique) |
Description technique du produit (YJM04N10A):
Transistor MOSFET Canal N 100V 10A YJM04N10A. Transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.