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Nxp Semiconductors
Transistor MOSFET Canal N 100V 100A PSMN013-100BS-118
Référence produit : PSMN013-100BS-118
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 2.40 € | — |
| 50+Meilleur prix | 2.27 € | -5% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100 V |
| Courant de drain continu (Id) | 100 A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 13 mΩ |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.0 V - 4.0 V |
| Charge de grille (Qg) | 45 nC |
Description technique du produit (PSMN013-100BS-118):
Transistor MOSFET Canal N 100V 100A PSMN013-100BS-118. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée.