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Transistor MOSFET Canal N 100V 100A MTY100N10E

Référence produit : MTY100N10E
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source100V
Courant de drain100A
Résistance à l'état passant10mΩ
Tension de seuil2V-4V
Charge de grille70nC

Description technique du produit (MTY100N10E):

Transistor MOSFET Canal N 100V 100A MTY100N10E. Transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.