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Vishay (siliconix)

Transistor MOSFET Canal N 100V 1.1A IRFL110PBF

Référence produit : IRFL110PBF
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)100V
Courant de drain continu (Id)1.1A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.54 Ohm
Tension de seuil de grille (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille totale (Qg)4.5 nC

Description technique du produit (IRFL110PBF):

Transistor MOSFET Canal N 100V 1.1A IRFL110PBF. Le IRFL110PBF est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une bonne capacité de courant dans un boîtier compact SOT-223.