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Transistor MOSFET Canal N 100V 1.1A IRFD123
Référence produit : IRFD123
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.66 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100V |
| Courant de drain continu (Id) | 1.1A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.28 Ohm max |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V à 4V |
| Charge de grille (Qg) | 5.5 nC typique |
Description technique du produit (IRFD123):
Transistor MOSFET Canal N 100V 1.1A IRFD123. Le IRFD123 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.