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Infineon

Transistor MOSFET Canal N 100V 0.2A BSP125

Référence produit : BSP125
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)100V
Courant de drain continu (Id)0.2A
Résistance à l'état passant (Rds(on))5 Ohm (max)
Tension de seuil (Vgs(th))0.8V à 2.5V
Charge de grille (Qg)2.5nC (typique)

Description technique du produit (BSP125):

Transistor MOSFET Canal N 100V 0.2A BSP125. Le BSP125 est un transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation de faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse, le rendant adapté aux circuits de commutation et de gestion de puissance.