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Infineon
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS126H6327
Référence produit : BSS126H6327
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.68 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.52 € | -24% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 100V |
| Courant de drain | 0.17A |
| Résistance à l'état passant | 6 Ohm |
| Tension de seuil | 0.8V à 2.5V |
| Charge de grille | 1.2 nC |
Description technique du produit (BSS126H6327):
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS126H6327. Transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide.