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Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123LT1G
Référence produit : BSS123LT1G
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|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.25 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.18 € | -28% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 100V |
| Courant de drain continu | 170mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 6 Ohm à Vgs=10V |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 0.8V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 1.5nC |
Description technique du produit (BSS123LT1G):
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123LT1G. Le BSS123LT1G est un transistor MOSFET à canal N de petite puissance, conçu pour les applications de commutation et d'amplification à faible courant. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille basse, ce qui le rend adapté aux interfaces logiques et aux circuits de commande.