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ON Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123-ONS

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Référence produit : BSS123-ONS
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)100V
Courant de drain continu (Id)170mA
Résistance à l'état passant (Rds(on))6 Ohm
Tension de seuil (Vgs(th))0.8V - 2.5V
Charge de grille (Qg)1.2nC

Description technique du produit (BSS123-ONS):

Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123-ONS. Transistor MOSFET à canal N de faible puissance, conçu pour les applications de commutation générale et de pilotage de charges.

. Vendu par lot de 10 (le prix affiché est pour un lot de 10)