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Onsemi (fairchild)
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123-FAI
Référence produit : BSS123-FAI
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 999 | 0.29 € | — |
| 1000+Meilleur prix | 0.17 € | -41% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100V |
| Courant de drain continu (Id) | 170mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 6 Ohm à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.8V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 1.5nC |
Description technique du produit (BSS123-FAI):
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123-FAI. Transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance.