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Infineon
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123-E6327
Référence produit : BSS123-E6327
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 0.22 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100V |
| Courant de drain (Id) | 170mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 6 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.8V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 1.5 nC |
Description technique du produit (BSS123-E6327):
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123-E6327. Transistor MOSFET à canal N de faible puissance, conçu pour des applications de commutation générale.