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IXYS
Transistor MOSFET Canal N 1000V 6A IXTP6N100D2
Référence produit : IXTP6N100D2
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 22.25 € | — |
| 5 – 9 | 20.22 € | -9% |
| 10 – 19 | 19.74 € | -11% |
| 20 – 49 | 19.32 € | -13% |
| 50+Meilleur prix | 18.77 € | -16% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 1000V |
| Courant de drain continu | 6A |
| Résistance à l'état passant | 1.8 Ohm |
| Tension de seuil | 3V |
| Charge de grille | 40nC |
Description technique du produit (IXTP6N100D2):
Transistor MOSFET Canal N 1000V 6A IXTP6N100D2. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute tension et haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée.