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IXYS
Transistor MOSFET Canal N 1000V 5A IXTH5N100A
Référence produit : IXTH5N100A
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 23.36 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 1000V |
| Courant de drain continu (Id) | 5A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 2.5 Ohm (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V - 5V |
| Charge de grille (Qg) | 30nC |
Description technique du produit (IXTH5N100A):
Transistor MOSFET Canal N 1000V 5A IXTH5N100A. Le IXTH5N100A est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute tension et haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.