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Transistor MOSFET Canal N 1000V 5.9A IRFPE50PBF
Référence produit : IRFPE50PBF
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 6.71 € | — |
| 2 – 4 | 6.01 € | -10% |
| 5 – 9 | 5.48 € | -18% |
| 10 – 24 | 5.00 € | -25% |
| 25+Meilleur prix | 4.64 € | -31% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 1000V |
| Courant de drain continu (Id) | 5.9A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 1.6 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V - 5V |
| Charge de grille totale (Qg) | 100nC |
Description technique du produit (IRFPE50PBF):
Transistor MOSFET Canal N 1000V 5.9A IRFPE50PBF. MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation haute tension et haute vitesse.