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Transistor MOSFET Canal N 1000V 5.6A IRFPE50
Référence produit : IRFPE50
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 5.23 € | — |
| 100+Meilleur prix | 4.84 € | -7% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 1000V |
| Courant de drain continu (Id) | 5.6A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 2.2 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V - 4V |
| Charge de grille (Qg) | 60nC |
Description technique du produit (IRFPE50):
Transistor MOSFET Canal N 1000V 5.6A IRFPE50. Le IRFPE50 est un MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance.