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Vishay (ir)
Transistor MOSFET Canal N 1000V 2.3A IRFBG30PBF
Référence produit : IRFBG30PBF
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 3.47 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 1000V |
| Courant de drain | 2.3A |
| Résistance à l'état passant | 5.0 Ohm |
| Tension de seuil | 3.0V - 5.0V |
| Charge de grille | 30 nC |
Description technique du produit (IRFBG30PBF):
Transistor MOSFET Canal N 1000V 2.3A IRFBG30PBF. Le IRFBG30PBF est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute tension et haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.