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Transistor MOSFET Canal N 1000V 2.3A IRFBG30
Référence produit : IRFBG30
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|---|---|---|
| 1 – 99 | 2.20 € | — |
| 100+Meilleur prix | 2.03 € | -8% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 1000V |
| Courant de drain continu (Id) | 2.3A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 6.0 Ohm max |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3.0V - 5.0V |
| Charge de grille (Qg) | 25nC typ. |
Description technique du produit (IRFBG30):
Transistor MOSFET Canal N 1000V 2.3A IRFBG30. Le IRFBG30 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute tension et haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de commutation rapide, le rendant idéal pour les convertisseurs de puissance.