Transistor MMFTN138

Transistor MMFTN138. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: JD. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 16 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 05:25.