Transistor IXFH26N50Q

Transistor IXFH26N50Q. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFH26N50. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 00:25.