Transistor IRLR120N

Transistor IRLR120N. Transistor. C (in): 440pF. C (out): 97pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRLR120NTRPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.185 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 23 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 00:25.