Transistor IRFPS37N50APBF

Transistor IRFPS37N50APBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 17.4k Ohms. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFPS37N50APBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5580pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 446W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 12:25.