Transistor IRFD9110PBF

Transistor IRFD9110PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD9110PBF. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Boîtier (norme JEDEC): 1.2 Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 18:25.