Transistor IRFD9014

Transistor IRFD9014. Transistor. C (in): 270pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: FET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 8.8A. Id (T=100°C): 0.8A. Id (T=25°C): 1.1A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 18:25.