Transistor IRFBG30

Transistor IRFBG30. Transistor. C (in): 980pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3.1A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 89 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 1000V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.