Transistor IRFB52N15D

Transistor IRFB52N15D. Transistor. C (in): 2770pF. C (out): 590pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 51A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB52N15D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: convertisseurs DC-DC haute fréquence, écran plasma. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.