Transistor IRFB42N20DPBF

Transistor IRFB42N20DPBF. Transistor. C (in): 4820pF. C (out): 340pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id(imp): 390A. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 97A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB4410ZPBF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 0.072 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.