Transistor IRFB42N20D

Transistor IRFB42N20D. Transistor. C (in): 3430pF. C (out): 530pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB42N20D. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 29 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Fonction: SMPS, convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.