Transistor IRFB11N50A

Transistor IRFB11N50A. Transistor. C (in): 1423pF. C (out): 208pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 170W. Résistance passante Rds On: 0.52 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 52nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.