Transistor IRF7811AVPBF

Transistor IRF7811AVPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7811. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1801pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 08:25.