Transistor IRF7807V

Transistor IRF7807V. Transistor. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 66A. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11 ns. Td(on): 6.3 ns. Technologie: MOSFET de puissance. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 08:25.