Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87€ | 1.04€ |
5 - 9 | 0.83€ | 1.00€ |
10 - 24 | 0.79€ | 0.95€ |
25 - 49 | 0.74€ | 0.89€ |
50 - 64 | 0.73€ | 0.88€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87€ | 1.04€ |
5 - 9 | 0.83€ | 1.00€ |
10 - 24 | 0.79€ | 0.95€ |
25 - 49 | 0.74€ | 0.89€ |
50 - 64 | 0.73€ | 0.88€ |
Transistor IRF7413Z. Transistor. C (in): 1210pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Impédance de grille ultra-basse. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 9.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11 ns. Td(on): 8.7 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 95. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 07:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.