Transistor IRF540Z

Transistor IRF540Z. Transistor. C (in): 1770pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 92W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 21 milliOhms. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, <0.021 Ohms. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 15:25.