Transistor IRC640

Transistor IRC640. Transistor. C (in): 130pF. C (out): 430pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 5. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): HexSense TO-220F-5. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.