Transistor IPB80N06S2-08

Transistor IPB80N06S2-08. Transistor. C (in): 2860pF. C (out): 740pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0608. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 215W. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.