Transistor IPB020N10N5LFATMA1

Transistor IPB020N10N5LFATMA1. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 128 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.