Transistor IPA60R600E6

Transistor IPA60R600E6. Transistor. C (in): 440pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Remarque: boîtier complètement isolé (2500VAC/60s). Marquage sur le boîtier: 6R600E6. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 28W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.