Transistor IGBT HGTG12N60A4

Transistor IGBT HGTG12N60A4. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 12N60A4. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 54A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 167W. Courant de collecteur maxi (A): 96A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 20:25.