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Transistor IGBT 900V 50A IRG4PF50WPBF

Référence produit : IRG4PF50WPBF
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)900V
Courant collecteur (Ic)50A
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))2.0V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V à 6.0V

Description technique du produit (IRG4PF50WPBF):

Transistor IGBT 900V 50A IRG4PF50WPBF. Transistor IGBT de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute fréquence et haute puissance. Offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.