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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 650V 11A YJP11C65MJ
Référence produit : YJP11C65MJ
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.09 € | — |
| 5 – 9 | 1.73 € | -17% |
| 10 – 29 | 1.58 € | -24% |
| 30 – 49 | 1.45 € | -31% |
| 50 – 99 | 1.34 € | -36% |
| 100+Meilleur prix | 1.31 € | -37% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 650V |
| Courant collecteur (Ic) | 11A |
| Tension collecteur-émetteur à l'état saturé (Vce(sat)) | 2.0V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V |
Description technique du produit (YJP11C65MJ):
Transistor IGBT 650V 11A YJP11C65MJ. Transistor IGBT de puissance en boîtier TO-252, conçu pour les applications de commutation rapide et de gestion de puissance.