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ON Semiconductor
Transistor IGBT 650V 100A TIG056BF-1E
Référence produit : TIG056BF-1E
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 6.24 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 650V |
| Courant collecteur (Ic) | 100A (25°C), 50A (100°C) |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 1.5V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 4.5V (typ.) |
| Boîtier | TO-247 |
Description technique du produit (TIG056BF-1E):
Transistor IGBT 650V 100A TIG056BF-1E. Transistor IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.