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Onsemi (fairchild)
Transistor IGBT 600V 80A SGH80N60UFDTU
Référence produit : SGH80N60UFDTU
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 15.78 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur continu (Ic) | 80A (à 100°C) |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 4.0V - 6.0V |
Description technique du produit (SGH80N60UFDTU):
Transistor IGBT 600V 80A SGH80N60UFDTU. Le SGH80N60UFDTU est un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) de type N-canal, conçu pour les applications de commutation à haute puissance et haute vitesse. Il offre une faible tension de saturation collecteur-émetteur et une robustesse élevée.