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Transistor IGBT 600V 80A APT80GA60B
Référence produit : APT80GA60B
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 13.96 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 80A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 2.0V (typ) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V (typ) |
Description technique du produit (APT80GA60B):
Transistor IGBT 600V 80A APT80GA60B. Transistor IGBT Canal N haute tension et courant élevé, conçu pour les applications de commutation à grande vitesse.