En stock
Infineon Technologies
Transistor IGBT 600V 75A IKW75N60T
Référence produit : IKW75N60T
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 59 | 14.04 € | — |
| 60+Meilleur prix | 13.21 € | -6% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 75A |
| Tension collecteur-émetteur à l'état saturé (Vce(sat)) | 1.8V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 4.5V |
Description technique du produit (IKW75N60T):
Transistor IGBT 600V 75A IKW75N60T. Transistor IGBT de puissance avec une tension de blocage élevée et une faible tension de saturation, optimisé pour les applications de commutation rapide.