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Infineon Technologies
Transistor IGBT 600V 75A IGW75N60H3
Référence produit : IGW75N60H3
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 15.26 € | — |
| 30+Meilleur prix | 14.53 € | -5% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 75A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | typ. 1.7V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | typ. 5.5V |
Description technique du produit (IGW75N60H3):
Transistor IGBT 600V 75A IGW75N60H3. Transistor IGBT de puissance conçu pour des applications de commutation à haute performance.