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Stmicroelectronics

Transistor IGBT 600V 60A STGW60V60DF

Référence produit : STGW60V60DF
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)60A
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))1.85V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))5V (typ.)

Description technique du produit (STGW60V60DF):

Transistor IGBT 600V 60A STGW60V60DF. Le STGW60V60DF est un IGBT de puissance à canal N de 600V, 60A, conçu pour les applications de commutation à haute fréquence et de forte puissance. Il offre une faible tension de saturation et des pertes de commutation réduites.