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IXYS
Transistor IGBT 600V 60A IXGR60N60C3D1
Référence produit : IXGR60N60C3D1
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 12.66 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 60A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V (typ.) |
Description technique du produit (IXGR60N60C3D1):
Transistor IGBT 600V 60A IXGR60N60C3D1. Transistor IGBT de puissance à commutation rapide avec diode de roue libre intégrée, optimisé pour les applications à haute fréquence.