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IXYS

Transistor IGBT 600V 60A IXGR60N60C2

Référence produit : IXGR60N60C2
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)60A à 100°C
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))2.0V (typ.) à Ic=60A, Vge=15V
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))4.0V - 6.5V

Description technique du produit (IXGR60N60C2):

Transistor IGBT 600V 60A IXGR60N60C2. L'IXGR60N60C2 est un transistor IGBT de 600V et 60A, conçu pour des applications de commutation à haute performance. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide, le rendant idéal pour les convertisseurs de puissance et les onduleurs.